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Memoria CI

Immagineparte #DescrizionefabbricanteDi riservaRFQ
Capo di circuito integrato SOIC-8 DS24B33S+T&R

Capo di circuito integrato SOIC-8 DS24B33S+T&R

DS24B33S+T&R
亚德诺 della DGC
10000
Chip originale M95128-WMN6TP M95128-WMN6 M95128 SOIC-8 Memory Bom list Service

Chip originale M95128-WMN6TP M95128-WMN6 M95128 SOIC-8 Memory Bom list Service

M95128-WMN6TP M95128-WMN6 M95128
意法 della st
10000
Alta qualità M24M01-RMN6TP M24M01-RMN6 M24M01 SOP2-8 Memory Bom Service

Alta qualità M24M01-RMN6TP M24M01-RMN6 M24M01 SOP2-8 Memory Bom Service

M24M01-RMN6TP M24M01-RMN6 M24M01
意法 della st
10000
100% memoria originale M24512-RMN6TP M24512-RMN6 M24512 SOIC-8 disponibile buon prezzo

100% memoria originale M24512-RMN6TP M24512-RMN6 M24512 SOIC-8 disponibile buon prezzo

M24512-RMN6TP M24512-RMN6 M24512
意法 della st
10000
Nuovo e Originale N25Q128A13ESE40F N25Q128A13ESE40 N25Q128A13 PowerSO-36 Memory Stock IC chip

Nuovo e Originale N25Q128A13ESE40F N25Q128A13ESE40 N25Q128A13 PowerSO-36 Memory Stock IC chip

N25Q128A13ESE40F
MICRON/美光
10000
Nuovo Originale M95512-WMN6TP M95512-WMN6 M95512 SOT23 Memoria Stock IC

Nuovo Originale M95512-WMN6TP M95512-WMN6 M95512 SOT23 Memoria Stock IC

M95512-WMN6TP M95512-WMN6 M95512
意法 della st
10000
PORTATA dei chip di memoria FBGA-96 RDT di Samsung K4A4G165WF-BCTD Sdram inalterata

PORTATA dei chip di memoria FBGA-96 RDT di Samsung K4A4G165WF-BCTD Sdram inalterata

STMicroelectronics 16Kbit I2C SOIC-8 EEPROM IC M24C16-RMN6TP

STMicroelectronics 16Kbit I2C SOIC-8 EEPROM IC M24C16-RMN6TP

Chip di memoria ISSI IS61WV51216EDBLL-10TLI di Winbond TSOP-44 SRAM

Chip di memoria ISSI IS61WV51216EDBLL-10TLI di Winbond TSOP-44 SRAM

W9825G6KH-6 TSOP-54 SDRAM IC senza piombo/RoHS compiacente

W9825G6KH-6 TSOP-54 SDRAM IC senza piombo/RoHS compiacente

Winbond 8 elett. Mbit né chip istantanei SPI SOIC-8 W25Q80DVSSIG

Winbond 8 elett. Mbit né chip istantanei SPI SOIC-8 W25Q80DVSSIG

Winbond NAND Flash Memory Chips elett. W29N01HVSINA TSOP-48

Winbond NAND Flash Memory Chips elett. W29N01HVSINA TSOP-48

Chip di memoria MB85RC16PNF-G-JNERE1 di FUJITSU SOIC-8 Fram

Chip di memoria MB85RC16PNF-G-JNERE1 di FUJITSU SOIC-8 Fram

Memoria non volatile CI AT27C256R-70JU PLCC-32 di tecnologia del microchip

Memoria non volatile CI AT27C256R-70JU PLCC-32 di tecnologia del microchip

Regolatore Ic di memoria di memoria CI AT27C512R-70PU DIP28 del MICROCHIP

Regolatore Ic di memoria di memoria CI AT27C512R-70PU DIP28 del MICROCHIP

Circuiti integrati di memoria di memoria CI di CYPRESS CY62167EV30LL-45ZXI TSSOP48

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La memoria CI di AT24C02C-SSHM-T SOP-8 02CM ha misurato la capacità di memoria

La memoria CI di AT24C02C-SSHM-T SOP-8 02CM ha misurato la capacità di memoria

72V2105L10PFG memoria CI FIFO CI SUPERSYNC 10NS 64-TQFP

72V2105L10PFG memoria CI FIFO CI SUPERSYNC 10NS 64-TQFP

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